[发明专利]一种基于GaN和Si器件混合的飞跨电容多电平逆变器及其控制方法在审
| 申请号： | 202011350562.0 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112511028A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 王俊;屈坤;张超;陈伟彬 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H02M7/483 | 分类号： | H02M7/483;H02M7/5387 |
| 代理公司： | 北京精金石知识产权代理有限公司 11470 | 代理人： | 肖乐愈秋 |
| 地址： | 410028 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于GaN和Si器件混合的飞跨电容多电平逆变器及其控制方法，涉及多电平逆变器领域。该基于GaN和Si器件混合的飞跨电容多电平逆变器包括直流供电电源Vdc、直流稳压电容Cdc、第一飞跨电容Cf1、……、第二飞跨电容Cf2、……、第(n‑2)飞跨电容Cf(n‑2)、第一硅基器件SL1、第二硅基器件SL2、第一氮化镓基器件SH1、第二氮化镓基器件SH2、第三氮化镓基器件SH3、第四氮化镓基器件SH4、……、第(2n‑3)氮化镓基器件SH(2n‑3)、第(2n‑2)氮化镓基器件SH(2n‑2)和负载RL。本发明充分结合了Si基器件的大容量、低成本和宽禁带器件的低损耗、高频率的优势，能显著提高效率，而且大大降低成本和提高宽禁带器件应用功率等级，实现了性能与成本的折中优化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gan si 器件 混合 飞跨 电容 电平 逆变器 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
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