[发明专利]一种新型SiC IGBT器件一体化底板结构在审

专利信息
申请号: 202011306255.2 申请日: 2020-11-19
公开(公告)号: CN112447616A 公开(公告)日: 2021-03-05
发明(设计)人: 叶娜;李萍 申请(专利权)人: 中车永济电机有限公司
主分类号: H01L23/15 分类号: H01L23/15;H01L23/14;H01L23/498;H01L23/488;H01L25/07;H01L23/373
代理公司: 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 代理人: 朱源
地址: 044500 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明涉及SiC IGBT器件的底板,具体为一种新型SiC IGBT器件一体化底板结构。一种新型SiC IGBT器件一体化底板结构,包括底板本体,底板本体的上表面连接有陶瓷基板,陶瓷基板的上表面连接有铜层,底板本体与陶瓷基板间、陶瓷基板与铜层间均通过活性金属钎焊工艺实现连接,形成一体化底板结构。底板本体与陶瓷基板以及陶瓷基板与铜层之间通过活性钎焊工艺连接,熔点由采用的活性金属决定,解决了现有底板与陶瓷覆铜板的焊接层熔点低问题,能有效发挥SiC IGBT器件在178℃以上高温环境中的应用优势;相较于传统的“底板+DBC结构”,去除了DBC下铜层,获得更低的热膨胀系数,更高的热导率,减小了热阻,提高了散热效率。
搜索关键词: 一种 新型 sic igbt 器件 一体化 底板 结构
【主权项】:
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