[发明专利]DBR结构、LED芯片、半导体发光器件及制造方法及显示面板有效
| 申请号： | 202011306041.5 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112531086B | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 王庆;何敏游;栗伟;陈大钟;洪灵愿;林素慧;张中英 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种DBR结构、LED芯片、半导体发光器件及其制造方法及显示面板，该DBR结构包括多个反射膜组，每一个反射膜组包括依次叠置的具有不同的折射率的第一材料层及第二材料层；多个反射膜组形成为第一膜堆结构及位于所述第一膜堆结构上方的第二膜堆结构，第一膜堆结构和第二膜堆结构均包括多个反射膜组；第二材料层包括氧化物，并且形成第一膜堆结构的第二材料层与形成第二膜堆结构的第二材料层的氧化物的氧含量不同。例如，第二膜堆结构的第二材料层的含氧量小于第一膜堆结构的第二材料层的氧含量。上述DBR结构中的第一膜堆结构实现对芯片内部的反射最大化，第二膜堆结构增加对布儒斯特角以及附近的光的吸收，从而降低芯片的正面透光率。 | ||
| 搜索关键词： | dbr 结构 led 芯片 半导体 发光 器件 制造 方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
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