[发明专利]表面电磁模式共振高光谱成像传感器的共振波长确定方法有效
| 申请号： | 202011305508.4 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112525862B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 祁志美;刘紫威;尹涛;蔡宸;蔡新霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院空天信息创新研究院;中国科学院大学 |
| 主分类号： | G01N21/552 | 分类号： | G01N21/552;G01N21/25;G01J3/28;G01J3/42;G01J3/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王江选 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种表面电磁模式共振高光谱成像传感器的共振波长确定方法，包括以下步骤：利用高光谱成像仪分别测量宽带光源的发射光谱原始曲线和表面电磁模式共振结构的共振光谱原始曲线；将发射光谱原始曲线转换为发射光谱辐射度曲线，将共振光谱原始曲线转换为共振光谱辐射度曲线，共振光谱辐射度曲线包括共振吸收曲线段和非共振曲线段；以发射光谱辐射度曲线为拟合模型，对共振光谱辐射度曲线中的非共振曲线段进行整体拟合，得到传感器在无共振吸收时的辐射度最佳拟合曲线；将共振光谱辐射度曲线除以辐射度最佳拟合曲线得到反射率光谱曲线；对反射率光谱曲线中的共振吸收谷进行拟合确定共振波长。本发明能够准确计算共振波长，提高了传感器品质因素。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 电磁 模式 共振 光谱 成像 传感器 波长 确定 方法 | ||
【主权项】：
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