[发明专利]一种基于组合热敏电参数灵敏度增强的SiC MOSFET结温检测方法有效
| 申请号： | 202011303413.9 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112556868B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 杨跃茹;秦海鸿;莫玉斌;陈文明;付大丰;谢利标;胡黎明 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学;南京开关厂有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/00 | 分类号： | G01K7/00;G01R31/26 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 施昊 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于组合热敏电参数灵敏度增强的SiC MOSFET结温检测方法，包括以下步骤：采用控制变量法对SiC MOSFET进行温升测试；根据测试数据标定热敏电参数与其相关变量的关系曲线；根据热敏电参数与其相关变量的关系曲线得到拟合方程；对热敏电参数与其相关变量的相关性进行分析，当存在两个热敏电参数与其多个相关变量具有线性关系，并且这两个热敏电参数具有除结温外的同一相关变量，所述同一相关变量与结温对各自热敏电参数相关性的一致性相反时；消去这两个热敏电参数除结温外的同一相关变量。本发明能够在不增加检测变量的同时提高结温检测的灵敏度，有效缓解了单一热敏电参数存在除结温外影响因素多和灵敏度低的问题，提高了SiC MOSFET结温检测精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 组合 热敏 参数 灵敏度 增强 sic mosfet 检测 方法 | ||
【主权项】：
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