[发明专利]基于铌酸锂的波导阵列及其制造方法在审
| 申请号： | 202011298132.9 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112255724A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 冯吉军;刘海鹏 | 申请（专利权）人： | 苏州科沃微电子有限公司;上海理工大学 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 上海湾谷知识产权代理事务所(普通合伙) 31289 | 代理人： | 倪继祖 |
| 地址： | 215431 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于铌酸锂的波导阵列，包括：硅基衬底；沉积在所述硅基衬底上的二氧化硅缓冲层；位于所述二氧化硅缓冲层上的芯层；位于所述芯层上，并包覆所述芯层的二氧化硅包层；其中，所述芯层包括：左右对称的两个铌酸锂宽波导、第一铌酸锂光栅和第二铌酸锂光栅；所述第一铌酸锂光栅和第二铌酸锂光栅位于两个所述铌酸锂宽波导之间；所述第一铌酸锂光栅位于所述第二铌酸锂光栅左边。本发明还公开了基于铌酸锂的波导阵列的制造方法。本发明可实现在1550nm光波段抑制波导间串扰，实现高透过率，低插入损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 铌酸锂 波导 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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