[发明专利]一种真空配管连接结构及方法在审
申请号: | 202011296350.9 | 申请日: | 2020-11-18 |
公开(公告)号: | CN114517863A | 公开(公告)日: | 2022-05-20 |
发明(设计)人: | 金大镇;李俊杰;李琳;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
主分类号: | F16L23/04 | 分类号: | F16L23/04;F16L23/18;F16L23/00 |
代理公司: | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人: | 丛洪杰 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种真空配管连接结构及方法,涉及蚀刻设备制造技术领域,用于解决当前真空配管连接结构拧紧时费时费力,所述真空配管连接结构包括:第一法兰盘,第二法兰盘和管夹;所述第一法兰盘和所述第二法兰盘分别设置在需要连接的真空配管的连接端,且所述第一法兰盘和所述第二法兰盘尺寸相同;所述管夹一侧与所述第一法兰盘旋转锁定,另一侧与所述第二法兰盘旋转锁定;所述管夹中设置有密封圈,对接的真空配管分别位于所述密封圈两侧,安装到位后,密封圈实现对连接真空配管的密封对接。本发明实施例提供的技术方案能够提高配管的组装效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 真空 连接 结构 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司,未经中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011296350.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。