[发明专利]纳米粉晶主暴露面的电子衍射辅助测定方法有效
| 申请号： | 202011295785.1 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112461866B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 丁晓坤;陈芳;裘雅渔 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01N23/04 | 分类号： | G01N23/04;G01N23/20058;G01N23/2055 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米粉晶主暴露面的电子衍射辅助测定方法。首先取不同分散区域的纳米粉晶样品进行电子衍射图的拍摄；利用图形处理软件得到电子衍射图中各衍射环的辉度值与晶面指数的关系图，将多张电子衍射照片中各衍射环的辉度值求平均；构建与衍射角2θ和辉度值相关的偏移矫正函数；根据偏移矫正函数求得的理论辉度值矫正各衍射环的实际辉度值得到偏移矫正辉度值；将两个最强的偏移矫正辉度值对应的晶面指数进行叉乘得到主暴露面的对应带轴，根据对应带轴和样品的晶相结构确定主暴露面的晶面指数，从而确定样品的主暴露面。本发明用于超细纯相纳米粉晶的主暴露面的测定。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 粉晶主 暴露 电子衍射 辅助 测定 方法 | ||
【主权项】：
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