[发明专利]一种硅基微环调制器及其调制方法在审
| 申请号： | 202011294112.4 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112379539A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 邵斯竹;胡志朋;冯俊波 | 申请（专利权）人： | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林丽丽 |
| 地址： | 401332 重庆市沙坪*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅基微环调制器及其调制方法，所述硅基微环调制器包括：至少一条直波导及与之耦合的环形波导，所述环形波导包括：高速调制区、耦合状态调整区及耦合区，所述高速调制区为PN结型结构，所述耦合状态调整区为PIN结型结构；其中，所述硅基微环调制器的初始状态为过耦合状态。通过本发明提供的硅基微环调制器，解决了现有硅基微环调制器因工艺误差和波长偏移导致耦合效率变化，从而破坏器件的临界耦合状态，最终导致器件消光比降低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基微环 调制器 及其 调制 方法 | ||
【主权项】：
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