[发明专利]光侦测元件在审
| 申请号： | 202011293807.0 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112820786A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 李世昌;林宣乐;陈义宏;苏初日;黄照舜 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/102 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种光侦测元件包含一第一半导体层、一吸收结构、一第二半导体层、一阻挡层；吸收结构位于第一半导体层上，并具有一第一传导带、一第一价带以及一第一带隙；第二半导体层位于吸收结构上，并具有一第二传导带、一第二价带以及一第二带隙；阻挡层位于吸收结构和第二半导体层之间，并具有一第三传导带、一第三价带以及一第三带隙；其中，第三传导带大于第二传导带，或第三价带小于第二价带。 | ||
| 搜索关键词： | 侦测 元件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
