[发明专利]一种用于等离子诊断的半导体激光器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202011293444.0 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112397999A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 毛森;王中和;陆凯凯;焦英豪 | 申请（专利权）人： | 广东鸿芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/028 |
| 代理公司： | 深圳市特讯知识产权代理事务所(普通合伙) 44653 | 代理人： | 何明生 |
| 地址： | 523696 广东省东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于等离子诊断的半导体激光器件及其制备方法，半导体激光器件包括第一电极、第二电极、设于第一电极及第二电极之间且从第一电极朝向第二电极方向依次设置的衬底、第一限制层、第一波导层、有源区、第二波导层、第二限制层、欧姆接触层和欧姆接触层与第二限制层接触的X射线金透射光栅层。本发明在P面电极与P型限制层之间设置X射线金透射光栅，提高半导体激光器的高分辨率和获得较高的衍射效率。能同时满足制作出大槽深、侧壁陡直且光滑的金透射光栅的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 等离子 诊断 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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