[发明专利]一种制备钴锰尖晶石涂层的方法在审
| 申请号： | 202011288687.5 | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN112342577A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 耿树江;李诗丽;朱会敏;赵茂森 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | C25D3/12 | 分类号： | C25D3/12;C25D5/10;C25D5/50;C25D13/02;C23C8/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110819 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种钴锰尖晶石涂层的制备方法。本发明采用电镀沉积‑电泳沉积技术在金属基体表面先预镀金属钴，然后利用电泳沉积技术在镀钴层表面电泳四氧化三锰，再电镀一层金属钴，最后经高温氧化处理获得锰钴尖晶石涂层。相比于喷涂、溶胶凝胶等制备涂层的方法，本发明使用的电镀沉积‑电泳沉积的方法具有制备简单，成本低，工艺稳定性良好等优点，对钴锰尖晶石涂层的制备与发展具有理论与实际意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 尖晶石 涂层 方法 | ||
【主权项】：
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