[发明专利]一种HIT电池的硅片表面处理方法及HIT电池制备方法和HIT电池

摘要

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是一种HIT电池的硅片表面处理方法及HIT电池的制备方法，处理方法包括在硅片表面沉积本征非晶硅膜层和掺杂非晶硅膜层之前采用以下处理步骤：对晶体硅片进行清洗；将清洗后的硅片送入沉积系统，通入氢气，设定以下参数：加热温度、气体压力、电源功率和处理时间，利用氢等离子体的反应活性，去除表面物理吸附或化学吸附的污染物；采用本发明的硅片表面处理技术制备HIT电池，在沉积本征非晶硅前，先对硅片表面进行氢等离子原位清洗，采用本发明的硅片表面处理技术之前，效率在23.5%~23%波动，EL黑角比例在5%~80%范围内波动；应用此工艺后，效率可稳定在23.5%左右，黑角比例可控制在3%以内。