[发明专利]金属氧化物半导体MOS器件在审
| 申请号： | 202011284282.4 | 申请日： | 2016-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN112331634A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | M·古普塔;陈向东;权武尚 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吕世磊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及金属氧化物半导体MOS器件。MOS器件包括第一、第二、第三和第四互连。第一互连(402)在第一方向上在第一轨道上延伸。第一互连被配置在金属层中。第二互连(404)在第一方向上在第一轨道上延伸。第二互连被配置在金属层中。第三互连(408)在第一方向上在第二轨道上延伸。第三互连被配置在金属层中。第二轨道平行于第一轨道。第三互连耦合到第二互连。第二和第三互连(404，408)被配置为提供第一信号(Clk)。第四互连(410)在第一方向上在第二轨道上延伸。第四互连被配置在金属层中。第四互连耦合到第一互连。第一和第四互连(402，410)被配置为提供不同于第一信号的第二信号(Clk)。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 mos 器件 | ||
【主权项】：
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