[发明专利]半导体器件结构、闪存器件的制作方法有效
| 申请号： | 202011282736.4 | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN112397391B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 丁浩;熊伟;张超然;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/788 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件结构、闪存器件的制作方法，涉及半导体制造领域。该闪存器件的制作方法包括：在衬底上依次形成隧穿氧化层、浮栅层、ONO结构、控制栅层；在控制栅层表面形成氮化硅层；在氮化硅层中形成栅极窗口；在栅极窗口内形成字线限位侧墙；去除栅极窗口下方未被字线限位侧墙覆盖的控制栅层、ONO结构、浮栅层、隧穿氧化层，并形成字线结构；对字线多晶硅的顶部进行回刻蚀，令刻蚀后的字线多晶硅顶部低于字线限位侧墙的顶部且高于字线侧墙；通过CVD工艺沉积字线保护氧化层，并进行CMP处理；解决了源漏自对准刻蚀后字线表面存在大量缺陷的问题；达到了改善字线多晶硅顶部的均匀性，提高闪存器件性能的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 闪存 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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