[发明专利]包括外延区的半导体器件在审
| 申请号： | 202011282169.2 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN112909074A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 金傔;金东宇;李智惠;金真范;李商文;李承勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李敬文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件。半导体器件包括：半导体衬底上的有源区；有源区上的沟道区；在有源区上邻近沟道区的源极/漏极区；沟道区上与沟道区交叠的栅极结构；源极/漏极区上的接触结构；接触结构和栅极结构之间的栅极间隔物；以及围绕接触结构的侧表面的接触间隔物。源极/漏极区包括具有凹陷表面的第一外延区、以及第一外延区的凹陷表面上的第二外延区，并且第二外延区包括延伸部，延伸部在水平方向上从在竖直方向上与接触结构交叠的部分延伸，并且在竖直方向上与接触间隔物交叠。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 外延 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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