[发明专利]一种单开关IGBT模块的芯片布局结构在审
| 申请号： | 202011260802.8 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112234055A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 潘政薇;姚二现;董长城;骆健 | 申请（专利权）人： | 南瑞联研半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 张赏 |
| 地址： | 211100 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单开关IGBT模块的芯片布局结构，由三组IGBT芯片组构成；每组IGBT芯片组由8颗IGBT芯片和反并联的4颗续流二极管FRD芯片构成；所述每组IGBT芯片组均焊接在上下两个DBC衬板上；上下两个DBC衬板上，位于左上和右上位置的IGBT芯片的栅极位于IGBT芯片的下部中间位置；位于左下和右下位置的IGBT芯片的栅极位于IGBT芯片的上部中间位置；反并联的续流二极管FRD芯片位于同一个DBC衬板的上下两颗IGBT芯片之间。本发明结构中IGBT芯片的结温温升降低约2℃，芯片结温温升的降低，有利于芯片的长期稳定运行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 开关 igbt 模块 芯片 布局 结构 | ||
【主权项】：
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