[发明专利]一种硅基多模光接收器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202011249404.6 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112285826B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 冯大增;王奕琼;梁虹;武爱民 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/26 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种硅基多模光接收器件及其制备方法，所述方法包括：获取SOI晶圆；制备探测器，包括：在所述SOI晶圆上定义探测器区域；在所述探测器区域形成锗材料层；通过光刻和刻蚀所述锗材料层形成锗波导，所述锗波导的宽度为2.0～5.0μm；对所述探测器区域进行掺杂处理；在所述探测器区域形成第一电极和第二电极；制备多模硅光波导，所述多模硅光波导的宽度为2.0～5.0μm；在所述探测器和所述多模硅光波导的表面形成保护膜。本申请的硅基多模光接收器件及其制备方法，采用多模硅光波导与光纤耦合，不仅光纤的基本光模可以耦合到多模硅光波导，高阶光模也可以耦合到多模硅光波导。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基多 接收 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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