[发明专利]一种高阻尼CuAlMn形状记忆合金的制备方法有效

专利信息
申请号: 202011246267.0 申请日: 2020-11-10
公开(公告)号: CN112481519B 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: 王清周;焦志娴;殷福星;张建军;刘力;冀璞光;姚畅 申请(专利权)人: 河北工业大学
主分类号: C22C9/01 分类号: C22C9/01;C22C1/10;C22C1/03;C22C1/06;C22F1/08;C21D1/18;B22F9/04;B22F3/04
代理公司: 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 代理人: 赵凤英
地址: 300130 天津市红桥区*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明为一种高阻尼CuAlMn形状记忆合金的制备方法。该方法包括如下步骤:第一步,将Cu51Zr14孕育剂颗粒与多层石墨烯混合球磨后,得到复合粉末;第二步,将复合粉末冷压成形,得到预制块体;第三步,在CuAlMn形状记忆合金熔炼时,加入Cu51Zr14孕育剂与多层石墨烯的预制块体,待CuAlMn形状记忆合金凝固后,重新升温至850~900℃,保温后于室温的水中淬火,制得高阻尼CuAlMn形状记忆合金。本发明克服了现有技术仅通过细化晶粒对阻尼性能提高有限,而通过第二相析出增加界面数量提高阻尼时,第二相的大小、数量较难控制等不足,使得CuAlMn形状记忆合金的阻尼性能显著提高。
搜索关键词: 一种 阻尼 cualmn 形状 记忆 合金 制备 方法
【主权项】:
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