[发明专利]基于非晶氧化物半导体浮栅晶体管的器件及制作方法在审
| 申请号： | 202011233772.1 | 申请日： | 2020-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN112420521A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 何勇礼;万青 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44;H01L21/34;H01L29/423;H01L29/788 |
| 代理公司： | 北京维昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11804 | 代理人： | 汪扬 |
| 地址： | 210023 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种基于非晶氧化物半导体浮栅晶体管的神经形态器件的制作方法，该晶体管可以包括源漏电极、沟道、叠层栅介质和栅电极，其中叠层栅介质为三层结构，包括电荷隧穿层、电荷存储层和电荷阻挡层。通过栅电极控制电荷存储层中电荷量的多少来控制源漏电极之间沟道层的电导，也就是调制突触器件的权重。进而将器件集成为交叉阵列结构，加速神经形态计算中的矩阵运算，以降低功耗。该制作方法与目前的大规模集成电路工艺兼容，适合大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化物 半导体 晶体管 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
