[发明专利]一种高密度芯片三维堆叠键合的结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202011202198.3 | 申请日： | 2020-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN112201630A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 王新;蒋振雷 | 申请（专利权）人： | 杭州晶通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L25/065;H01L21/60 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张超 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高密度芯片三维堆叠键合的结构，包括被塑封体塑封的至少两个预处理芯片，预处理芯片的铜焊盘面相对设置并至少有一组对应的铜焊盘通过铜焊盘外延直接进行键合，预处理芯片包括芯片，在芯片铜焊盘面铺设的外露出铜焊盘的介电层、在介电层上设置的外露出铜焊盘的有机聚合物层以及被有机聚合物层及介电层包裹的铜焊盘外延。完成铜焊盘外延键合的预处理芯片组，对应的键合后的铜焊盘外延边的有机聚合物层也键合成为统一的整体。本发明还公开了此种高密度芯片三维堆叠键合的结构的制备方法。采用本你发明的设计方案，可以应用于三维封装领域，助力高密度芯片与模组的高度集成化、小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 芯片 三维 堆叠 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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