[发明专利]一种锗硅光电探测器有效
| 申请号： | 202011197956.7 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112349803B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 陈代高;肖希;王磊;胡晓;张宇光;张红广;刘敏;吴定益 | 申请（专利权）人： | 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 朱磊;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种锗硅光电探测器，其特征在于，包括：硅平板波导层，以及位于所述硅平板波导层上的锗吸收层和脊波导层；其中，所述锗吸收层包括间隔设置的第一锗吸收区和第二锗吸收区；所述脊波导层包括位于所述第一锗吸收区和所述第二锗吸收区之间的第一波导区；所述脊波导层用于接收光信号，并通过所述第一波导区将接收到的所述光信号传递至所述第一锗吸收区和所述第二锗吸收区；所述第一波导区的宽度沿光信号的传递方向变窄。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 探测器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
