[发明专利]无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法在审
| 申请号： | 202011191776.8 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112086451A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 朱天志;黄冠群;陈昊瑜;邵华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法，该结构包括：半导体衬底(80)；生成于半导体衬底的N阱(60)和P阱(70)；高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)置于N阱(60)上部，高浓度N型掺杂(24)、高浓度P型掺杂(26)置于P阱上部，高浓度P型掺杂(22)置于N阱与P阱分界处上方,高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)间为N阱(60)的一部分且间距为S，高浓度N型掺杂(28)与高浓度P型掺杂(22)间为N阱(60)的一部分，高浓度N型掺杂(24)下方设置P型ESD离子注入(32)以降低电子从高浓度N型掺杂(24)发射注入到P阱(70)的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 无回滞 效应 整流器 esd 保护 结构 及其 实现 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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