[发明专利]一种基于气相法调控钙钛矿薄膜结构的方法在审
| 申请号： | 202011183972.0 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112436090A | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 谢伟广;林东旭;庞娜娜;徐鑫;时婷婷;刘彭义 | 申请（专利权）人： | 暨南大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 殷妹 |
| 地址： | 510632 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于气相法调控钙钛矿薄膜结构的方法。本发明采用混合蒸气法，将镀有PbI |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 气相法 调控 钙钛矿 薄膜 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
