[发明专利]一种晶体生长方法在审
| 申请号： | 202011183732.0 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112359418A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 余剑云;陈建明;吴锋波;郑家金 | 申请（专利权）人： | 福建晶安光电有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/20 | 分类号： | C30B29/20;C30B35/00;C30B15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362411 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及蓝宝石晶体生长领域，公开了一种晶体生长方法，本发明使用氧化铝晶体回收料进行晶体生长，由于回收料实际已经进行过一次长晶，而长晶过程是排除杂质的过程，在长晶过程中已经起到一次提纯的作用，故再次进行长晶时，对蓝宝石的回收料进行筛选和检测等一系列工艺，得到纯度更高的氧化铝原料，这使得蓝宝石晶体晶格排列的更有规律，缺陷密度更低，晶体对光的吸收更少，透光率上升，最终影响UV LED产品的质量，提升UV LED产品的发光效率，产品的价值也越高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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