[发明专利]一种用于IC芯片的ETFE离型膜的制备方法在审
| 申请号： | 202011179697.5 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112300424A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 王翔宇;宋厚春;欧雪光;陈洪 | 申请（专利权）人： | 银金达（上海）新材料有限公司 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L23/08;C08L23/06;C08L67/00;C08L71/12;C08L81/06;C08K13/02;C08K3/04;C08K5/5419;C08K5/544;C08K5/5425;C09J7/40;B29C48/00;B29C48/08 |
| 代理公司： | 北京化育知识产权代理有限公司 11833 | 代理人： | 尹均利 |
| 地址： | 200000 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于离型膜领域，公开了一种用于IC芯片的ETFE离型膜的制备方法，包括以下步骤：(1)取质量比为100:4:3:5的ETFE树脂、交联剂、抗氧剂和增韧剂混合均匀加入三层共挤型挤出机的内层，取质量比为100:4:3:5的ETFE树脂、交联剂、抗氧剂和粘接剂混合均与加入三层共挤型挤出机的中层。本发明以ETFE树脂为主要原料并采用加工方式以多层熔融共挤出、复合成ETFE离型膜，最大限度地保证了ETFE树脂膜的综合性能，具有耐高温性、耐磨、防静电等功能，能在250℃条件下进行压合，具有高离型性，相比单一挤出成膜而言，该加工方式避免了由于功能助剂在同一层膜中由于物料性能不同引起ETFE树脂膜整体性能下降的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 ic 芯片 etfe 离型膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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