[发明专利]抛光垫、其制备方法及使用其制备半导体器件的方法有效
| 申请号： | 202011179547.4 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112743450B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 郑恩先;尹钟旭;尹晟勋;徐章源 | 申请（专利权）人： | SKC索密思株式会社 |
| 主分类号： | B24B37/24 | 分类号： | B24B37/24;B24B37/10;C08L75/04;C08J9/04;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 王卫彬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种抛光垫、其制备方法及使用其制备半导体器件的方法。根据一个实施方案的抛光垫可调节存在于抛光层中的元素的含量，从而控制抛光垫与抛光颗粒之间的结合强度，并增加抛光颗粒和半导体衬底之间的结合强度，从而提高抛光速率。不仅可以提高抛光垫的机械性能，例如硬度、拉伸强度、伸长率和模量，而且可以提高钨层或氧化层的抛光速率。因此，可以使用抛光垫有效地制造高质量的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 制备 方法 使用 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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