[发明专利]热滞回线可调控的二氧化钒薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202011166908.1 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112331555A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 储新宏;张小明;郭兵锋;刘健平;余济海;陶海征;梁瑞 | 申请（专利权）人： | 宜春学院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L45/00 |
| 代理公司： | 南昌市赣昌知识产权代理事务所(普通合伙) 36140 | 代理人： | 刘鸿运 |
| 地址： | 336000 *** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种热滞回线可调控的二氧化钒薄膜的制备方法，是首先在基衬上制备金属钒薄膜，然后置于真空气氛炉中氧化退火，通过协同控制退火气压10Pa~3000Pa、退火温度300℃~550℃、升温速率5~20℃/min、退火时间0~90min等退火参数，及施行低压二次退火处理的方法，控制二氧化钒薄膜的晶粒尺寸、晶界数量、氧空位数量、15~20nm以下微晶数量、粒径分布、界面能等性能影响因素，获得热滞回线可调控的二氧化钒薄膜，宽度调控范围5~35℃，透光率高度调控范围17~54%，相变温度调控范围34~60℃。其满足热敏光敏元件、激光致盲防护装置、生物传感器、气体探测器、智能窗等不同领域对不同热致变色性能的二氧化钒薄膜的需求提供了简单可靠的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 热滞回线可 调控 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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