[发明专利]快闪存储器及快闪存储器的形成方法有效
| 申请号： | 202011157488.0 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN112086460B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 于涛 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H01L29/423;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种快闪存储器及形成方法，快闪存储器包括：衬底，所述衬底包括源线浮栅区和若干个字线位线区，所述源线浮栅区位于相邻的字线位线区之间，且所述源线浮栅区与字线位线区邻接；位于源线浮栅区内的第一源掺杂区；位于第一源掺杂区内和源线浮栅区内的第二源掺杂区，所述第二源掺杂区的离子浓度大于所述第一源掺杂区的离子浓度，且所述第二源掺杂区的深度大于所述第一源掺杂区的深度；位于源线浮栅区上的浮栅结构，所述浮栅结构位于部分第一源掺杂区上；位于源线浮栅区上的擦除栅结构，所述擦除栅结构位于第二源掺杂区上。所述快闪存储器的性能得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011157488.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
