[发明专利]可编程二极管的制备方法及铁电存储器

摘要

一种可编程二极管的制备方法，包括以下步骤：采用标准CMOS工艺形成钨栓塞；以所述钨栓塞作为下电极，并在钨栓塞上沉积功能层材料如铁电薄膜；在所述功能层材料上沉积上电极；图形化上电极和功能层，完成所述可编程二极管的制备。本发明还公开了一种采用如上所述的可编程二极管的制备方法所制备得到的可编程二极管的铁电存储器，本发明所提出的可编程二极管的制备方法，不需要生长下电极，降低了工艺的复杂度；本发明所提出的铁电存储器，由一个晶体管和一个可编程二极管构成，该设计是根据二极管的极性不同来存储信息的，因此可以进一步缩小器件面积，提高存储密度。