[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

本申请涉及制造半导体器件的方法。在半导体衬底上形成第二栅极电介质膜材料和存储器栅极电极材料。去除在外围电路形成区域中形成的存储器栅极电极材料和第二栅极电介质膜材料，并且在存储器单元形成区域中保留存储器栅极电极材料和第二栅极电介质膜材料中的每一个的一部分。此后，在存储器单元形成区域中的半导体衬底被存储器栅极电极材料和第二栅极电介质膜材料中D每一个的一部分覆盖的状态下，对半导体衬底进行热处理，以在位于外围电路形成区域中的半导体衬底上形成第三栅极电介质膜。此后，形成存储器栅极电极和第二栅极电介质膜。