[发明专利]一种非厄米调制下二维光子晶体的拓扑态结构有效
| 申请号： | 202011144991.2 | 申请日： | 2020-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN112285822B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 朱宇光 | 申请（专利权）人： | 常州工业职业技术学院;常州宇宏电气有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/02 | 分类号： | G02B6/02;G02B27/00 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 213164 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明所述的一种非厄米调制下二维光子晶体的拓扑态结构，包括由多层晶胞排列组成的拓扑非平庸层、缺陷层和拓扑平庸层，依次按照拓扑非平庸层、缺陷层、拓扑平庸层、缺陷层、拓扑非平庸层的顺序排列构成。本发明所述的有益效果为：设计具有PT对称构型的二维光子晶体，通过增益系数的改变，实现拓扑相变；构建了由拓扑非平庸结构和拓扑平庸结构形成的边界态，该边界态具有拓扑相和非厄米调制的双重特征；通过源位置的选择，可以让拓扑相调制和非厄米调制分别发挥作用，两者均可以激发单向传输。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非厄米 调制 二维 光子 晶体 拓扑 结构 | ||
【主权项】：
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