[发明专利]半导体超结器件的制造方法有效
| 申请号： | 202011125896.8 | 申请日： | 2020-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN112086506B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;袁愿林;王睿;刘磊 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体超结器件技术领域，具体公开了一种半导体超结器件的制造方法，包括：以第一绝缘层和第二绝缘层为掩膜自对准的刻蚀n型衬底，在n型衬底内形成第二沟槽，在第二沟槽内形成栅极结构。本发明的半导体超结器件的制造方法，形成栅极和p型柱只需要进行一次光刻工艺，可以极大的降低半导体超结器件的制造成本，并降低半导体超结器件的制造风险。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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