[发明专利]二硫化钼基掺杂陶瓷相多元复合薄膜及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 202011125592.1 申请日: 2020-10-20
公开(公告)号: CN112251726B 公开(公告)日: 2021-08-13
发明(设计)人: 王海新;王立平;任思明;蒲吉斌;郭武明 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/16
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 王茹;王锋
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种二硫化钼基掺杂陶瓷相多元复合薄膜及其制备方法与应用。所述二硫化钼基掺杂陶瓷相多元复合薄膜包括在其厚度方向上依次层叠的钛过渡层、钛/碳化硅/二硫化钼多层梯度过渡层和二硫化钼/碳化硅掺杂层。所述制备方法包括:采用磁控溅射技术,在基体表面依次沉积钛过渡层、钛/碳化硅/二硫化钼多层梯度过渡层和二硫化钼/碳化硅掺杂层,获得二硫化钼/碳化硅复合薄膜。本发明的二硫化钼基掺杂陶瓷相多元复合薄膜具有高硬度(不小于8GPa)及弹性模量,结合力达到20N,真空环境摩擦系数达到0.01,不同湿度环境下均具有良好的摩擦磨损性能、良好温度自适应性能、耐湿热性能,能满足航空航天飞行器润滑稳定及长寿命服役要求。
搜索关键词: 二硫化钼 掺杂 陶瓷 多元 复合 薄膜 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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