[发明专利]一种模拟单层单晶六角氮化硼薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202011120600.3 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN112210832B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 丁利苹;田董昀昊;邵鹏;唐妍;张方辉;雷涛;赵梓利 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C30B29/38;C30B29/64 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 梁静 |
| 地址： | 710021 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种模拟单层单晶六角氮化硼薄膜的制备方法，属于二维材料制备技术领域。包括以下步骤：S1、构建基底材料模型；S2、获得不同边界的hBN纳米带；沿hBN纳米片的扶手椅型BN(BNac)、扶手椅型NB(NBac)、富硼“Z”字型(Bzz)及富氮“Z”字型(Nzz)四种边界剪切，获得不同边界hBN纳米带；S3、构建hBN纳米片或氢钝化hBN纳米片模型；S4、确定最佳的可融合成单晶hBN纳米片的模型；S5、确定氢压范围。本发明基于第一性原理模拟圆形hBN晶粒融合形成单层hBN单晶薄膜的生长过程，确定最适合融合的hBN晶粒边界，明确氢压在制备过程中的作用，对制备出大面积、高质量的单层单晶六角氮化硼薄膜具有重要的科学意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 模拟 单层 六角 氮化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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