[发明专利]一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202011118330.2 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN112210101A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 闵永刚;余文涛;廖松义;刘屹东;谭婉仪;朋小康 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学;东莞华南设计创新院 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L79/08;C08L27/18;C08G73/10 |
| 代理公司： | 东莞科言知识产权代理事务所(普通合伙) 44671 | 代理人： | 何文婕 |
| 地址： | 510060 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤S1，将二元胺单体和二元酐单体分别溶解于有机溶剂中，所述二元酐单体分批加入，在氮气或氩气的气氛下及室温下搅拌反应得到聚酰胺酸溶液；步骤S2，向聚酰胺酸溶液中加入聚四氟乙烯微粉，在预设温度下进行搅拌，得到混合溶液；步骤S3，将混合溶液进行旋涂，得到聚酰胺酸薄膜，然后经梯度亚胺化处理，制得低介电常数聚酰亚胺薄膜。本发明通过向聚酰胺酸中加入聚四氟乙烯微粉，合成的聚酰亚胺薄膜，具有耐热性良好、介电常数低、介电损耗小等特点；而聚四氟乙烯含有大量的氟元素，掺杂后可以有效降低聚酰亚胺基薄膜的介电常数，拓展聚酰亚胺基膜在低介电材料领域的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 聚酰亚胺 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东工业大学;东莞华南设计创新院，未经广东工业大学;东莞华南设计创新院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011118330.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种耐腐蚀PE管及其制备方法
- 下一篇：一种屏体检测设备
