[发明专利]基于二次刻蚀法制备高刻蚀率和高剥离率的少层Ti3有效

专利信息
申请号: 202011115819.4 申请日: 2020-10-19
公开(公告)号: CN112194134B 公开(公告)日: 2022-02-15
发明(设计)人: 刘柏雄;李聪;刘智平;任世刚;周少勇 申请(专利权)人: 江西理工大学
主分类号: C01B32/921 分类号: C01B32/921;B82Y40/00
代理公司: 西安知诚思迈知识产权代理事务所(普通合伙) 61237 代理人: 麦春明
地址: 341000 江*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明公开了基于二次刻蚀法制备高刻蚀率和高剥离率的少层Ti3C2Tx材料的方法,具体包括以下步骤:Ti3AlC2经HF水溶液预刻蚀得到预刻蚀产物;配置LiF和HCl反应后形成的盐溶液作为二次刻蚀剂;将预刻蚀产物浸没在二次刻蚀剂中进行二次刻蚀得到二次刻蚀产物;二次刻蚀产物经处理得到高刻蚀率和高剥离率的少层Ti3C2Tx材料。本发明基于二次刻蚀法制备高刻蚀率和高剥离率的少层Ti3C2Tx材料的方法实现了少层Ti3C2Tx在水溶液中的高效剥离与分散,无需后期对Ti3C2Tx进行长时间超声剥离,提高了少层Ti3C2Tx的制备效率和产品性能,扩大了少层Ti3C2Tx的功能化应用范围。
搜索关键词: 基于 二次 刻蚀 法制 剥离 ti base sub
【主权项】:
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