[发明专利]高压集成器件及其制备方法

摘要

本发明提供一种高压集成器件及其制备方法，高压集成器件包括：半导体基底、低压半导体器件、第一隔离结构、第二隔离结构以及高压器件引出结构，半导体基底包括自下而上设置的半导体衬底、第一绝缘层、中间器件功能层、第二绝缘层以及顶层器件功能层。本发明将低压器件集成在顶层器件功能层中，将高压器件集成在中间器件功能层中，采用双浅沟槽隔离技术及基于半导体基底中的绝缘层，使得高压器件可以不干扰其他区域的器件，中间器件功能层可以集成更高电压的电子器件。另外，基于本发明高压器件与低压器件的设计，不消耗芯片面积，大大增加集成度。