[发明专利]一种改善晶格损伤的方法在审
| 申请号： | 202011104593.8 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN112233977A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 孟凡顺;陈耀祖;陈忠奎;易芳;刘志攀 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 510000 广东省广州市中新广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种改善晶格损伤的方法，将晶圆放置在卡盘上，所述晶圆已完成等离子体刻蚀工艺，所述卡盘包括电极，所述晶圆与所述卡盘的电极接触；对所述晶圆进行第一次释放静电处理，以释放所述晶圆上的部分电荷；对所述晶圆进行第二次释放静电处理，所述电极对所述晶圆提供第一反向电压，以释放所述晶圆上的部分电荷；对所述晶圆进行第三次释放静电处理，所述电极对所述晶圆提供第二反向电压，以完成所述晶圆上的电荷释放。通过对释放静电处理工艺优化，减少因电荷聚集造成的接触孔蚀刻工艺中对晶格的损伤，提高产品成像的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 晶格 损伤 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州粤芯半导体技术有限公司，未经广州粤芯半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011104593.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种挪车通知方法及装置
- 下一篇：一种焦距调整方法、装置、移动终端及存储介质
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
