[发明专利]晶片、外延片及其制造方法在审
| 申请号： | 202011098008.8 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN113322521A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 朴钟辉;高上基;具甲烈;金政圭;梁殷寿;李演湜 | 申请（专利权）人： | SKC株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00;C30B25/18;H01L21/02;H01L21/04 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 魏彦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶片、外延片及其制造方法。实施方式涉及一种晶片，包括一面和另一面，上述一面的Rsk粗糙度为‑3nm至3nm，上述一面的边缘区域的Ra粗糙度与上述一面的中心区域的Ra粗糙度之间的差异为‑2nm至2nm，上述一面的边缘区域是从上述一面的边缘向中心方向的距离相对于上述晶片的半径为13.3％至32.1％的区域，上述一面的中心区域是从上述一面的中心相对于上述晶片的半径具有9.4％的半径的区域。实施方式的晶片的一面的边缘区域与中心区域之间的粗糙度偏差不大，且可以显示出低不对称性。实施方式的外延片呈现出更均匀的厚度特性，基于此，在制造半导体器件时可以提高器件的特性和成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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