[发明专利]外延片、晶片及其制造方法在审
| 申请号： | 202011097996.4 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN113322519A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 朴钟辉;金政圭;梁殷寿;张炳圭;崔正宇;李演湜;高上基;具甲烈 | 申请（专利权）人： | SKC株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00;C30B25/18;H01L21/02;H01L21/04 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 魏彦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式涉及外延片、晶片及其制造方法。上述制造方法包括：准备步骤、生长步骤、冷却步骤、切割步骤、加工步骤；上述加工步骤包括：第一加工步骤，使用表面粒度为1000目至3000目的第一砂轮进行加工；及第二加工步骤，使用表面粒度为6000目至10000目的第二砂轮进行加工。通过实施方式的晶片的制造方法制造的晶片具有低微管缺陷密度，且可以使颗粒和划痕发生最小化。通过实施方式的外延片的制造方法制造的外延片可以具有坠落、三角及胡萝卜缺陷等的密度低，并呈现优异的器件特性，且可以期待器件成品率改善。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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