[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202011089159.7 | 申请日： | 2020-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN112233981A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 田武;孙超;王欣 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/8238;H01L27/092;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高翠花 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制备方法，其包括如下步骤：提供基底层，基底层上设置有栅极，基底层内设置有源极区域、漏极区域及沟道区，栅极与沟道区对应，源极区域及漏极区域设置在栅极两侧；在基底层上，在源极区域与栅极之间的待掺杂区上及漏极区域与栅极之间的待掺杂区上形成图形化的阻挡层，阻挡层间隔遮挡部分待掺杂区；对待掺杂区进行掺杂，形成轻掺杂区。本发明在需要降低轻掺杂区的掺杂剂量的区域(宽管子区域)形成阻挡层，通过阻挡层遮挡作用降低该区域掺杂剂量，从而避免不需要降低轻掺杂区的掺杂剂量的区域(窄管子区域)掺杂剂量也被降低，既能够避免宽管子漏电流产生，又能够避免窄管子击穿电压受影响，方法简单可行。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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