[发明专利]一种半导体超短脉冲激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 202011087302.9 | 申请日： | 2020-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN112086856B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 季海铭;罗帅;徐鹏飞;王岩 | 申请（专利权）人： | 江苏华兴激光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343;H01S5/22 |
| 代理公司： | 武汉江楚智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 42228 | 代理人： | 邓寅杰 |
| 地址： | 221300 江苏省徐州市邳州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体超短脉冲激光器及其制备方法，其不同之处在于，包括以下步骤：步骤1：选择一N型衬底；步骤2：在所述衬底上进行半导体双模量子点材料的外延生长；步骤3：采用标准半导体光电子芯片工艺进行激光器的光刻和刻蚀以形成脊形波导结构，随后进行衬底减薄和抛光；步骤4：通过磁控溅射或电子束蒸发进行P面金属层的淀积以及N面金属层的淀积，并进行高温退火形成金半接触；步骤5：对基片进行划片解理和腔面镀膜，形成半导体超短脉冲激光器，完成制备。本发明可实现单区注入的半导体超短脉冲激光器，有效降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 超短 脉冲 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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