[发明专利]氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法在审
| 申请号： | 202011082907.9 | 申请日： | 2020-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN112670156A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 深泽笃毅;优财津;陈珮嘉 | 申请（专利权）人： | ASMIP私人控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于在衬底上形成的阶梯上形成氧化硅膜的方法，其包含：(a)通过预先选择初始氮化硅膜的目标部分，参照初始氮化硅膜的非目标部分，选择性地沉积或去除或重整产生最终氧化硅膜来设计最终氧化硅膜的拓扑结构；和(b)根据工艺(a)中设计的拓扑结构在阶梯的表面上形成初始氮化硅膜和最终氧化硅膜，其中初始氮化硅膜使用含卤素的含硅前体通过ALD来沉积，并且通过氧化初始氮化硅膜将初始氮化硅膜转化为最终氧化硅膜，而不进一步沉积膜，其中初始氮化硅膜中的Si‑N键转化为Si‑O键。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 拓扑 选择性 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
