[发明专利]一种高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备工艺有效
| 申请号： | 202011075947.0 | 申请日： | 2020-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN112267039B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 王东;王全兆;马宗义;肖伯律;倪丁瑞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C22C1/05 | 分类号： | C22C1/05;C22C29/06;B22F3/14 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 于晓波 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备工艺，属于铝基复合材料技术领域。该工艺采用粉末冶金法，将SiC颗粒表面低温氧化处理后，将SiC颗粒、铝合金粉末、镁粉均匀混合后，装入模具，冷压后，分别在低温和高温热压烧结。本发明通过SiC颗粒表面低温预氧化、添加镁粉作为助烧剂、分步热压等工艺相结合的方法，可有效促进SiC颗粒与铝基体的润湿性，增强两者的界面结合，消除界面附近孔洞缺陷，大幅提升材料致密度和性能，同时降低热压压力，减少模具成本和对大型设备的依赖性，大幅降低材料制备成本，提高高体分SiC/Al坯锭尺寸，实现高致密度、高性能、高体分SiC/Al低成本制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 体积 分数 碳化硅 颗粒 增强 复合材料 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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