[发明专利]一种半导体结构的制造方法有效
| 申请号： | 202011069193.8 | 申请日： | 2020-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN111933612B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 赖韦伶;林慧妮;杨宗凯;王安然 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林凡燕 |
| 地址： | 102199 北京市大兴区经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体结构及其制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底上设置有氧化层；形成第一金属层于所述衬底上；形成绝缘层于所述第一金属层上，所述绝缘层的边缘上至少具有第一区域和第二区域，所述第一区域的厚度大于所述第二区域的厚度；形成第二金属层于所述绝缘层上；对所述衬底进行第一次刻蚀，所述第一次刻蚀以所述第一金属层为停止层；对经过所述第一次刻蚀的所述衬底进行第二次刻蚀，所述第二次刻蚀以所述氧化层为停止层；其中，在进行所述第二次刻蚀时，旋转所述衬底，以使所述第一区域的刻蚀速率大于所述第二区域的刻蚀速率。本发明提出的半导体结构具有良好的电容均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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