[发明专利]一种银掺杂的硅和二碲化钨复合负极材料及其制备方法、应用有效
| 申请号： | 202011064854.8 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112289988B | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 刘盛华;林少雄;王辉;许家齐;齐美洲;辛昱;赵宇飞;张辰;丁男 | 申请（专利权）人： | 合肥国轩高科动力能源有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 | 代理人： | 刘勇 |
| 地址： | 230000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种银掺杂的硅和二碲化钨复合负极材料的制备方法，包括如下步骤：S1、将四氯化碲与离子液体混匀，在惰性气体氛围中，加热至溶液呈亮黄色，然后加入四氯化钨混匀得到前驱体溶液；S2、将前驱体溶液置于硅基底表面，微波辐照，粉碎，除磁得到复合材料；S3、将复合材料均匀分散于有机溶剂中，加入硝酸银混匀，然后进行还原反应得到银掺杂的硅和二碲化钨复合负极材料。本发明还公开了一种银掺杂的硅和二碲化钨复合负极材料及其应用。本发明制备硅和二碲化钨复合材料，改善硅材料体积膨胀和导电性差的问题，并结合银掺杂在提升材料导电性能的同时，改善二碲化钨二维结构循环过程中结构容易崩塌的问题，优化材料整体的电化学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 二碲化钨 复合 负极 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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