[发明专利]一种少层纳米二硫化钼增强铝基复合材料的制备方法在审
| 申请号： | 202011061812.9 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112159908A | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 沙军威;樊乐文;赵乃勤;师春生;何春年;马丽颖;赵冬冬 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C22C1/05 | 分类号： | C22C1/05;C22C21/00;C22C32/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 程毓英 |
| 地址： | 300350 天津市津南区海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种少层纳米二硫化钼增强铝基复合材料的制备方法，包括下列步骤：1)MoS2/Al复合粉末的制备：取一定质量分数(0.05～3.0wt％)的少层纳米二硫化钼粉末和相应的纯铝粉置于球磨罐中，加入用以防止发生冷焊的球磨过程控制剂，装入球磨罐，对装有物料的球磨罐抽真空并充入惰性气体进行球磨，制备MoS2/Al复合粉末；2)冷压成型：取出经球磨混合的MoS2/Al复合粉末，放入冷压模具中，冷压成型，参数为：压力400～800MPa。3)烧结：将步骤2)获得的冷压成型的复合材料，在惰性气体保护下进行无压烧结，烧结温度为：550～650℃。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 二硫化钼 增强 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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