[发明专利]离子注入控制方法有效
| 申请号： | 202011056651.4 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112201576B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 周春;成鑫华 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种离子注入控制方法，包括：步骤一、提供晶圆，在晶圆上形成有光刻胶图形。步骤二、将晶圆放置在离子注入机台的工艺腔中。步骤三、对离子注入机台的等离子体枪灯丝进行预热，利用预热过程中产生足够的中和电子来中和光刻胶图形中积累的静电，足够的中和电子通过控制起弧电流实现。本发明能去除光刻胶图形积累的静电，从而消除由光刻胶积累的静电吸附形成的颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 控制 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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