[发明专利]清洁方法、形成半导体结构的方法及其系统在审
| 申请号： | 202011054850.1 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112578643A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 柯武宏;林重宏;温志伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/82;G03F1/24 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李春秀 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明实施例涉及清洁方法、形成半导体结构的方法及其系统。提供一种用于清洁反射光罩的方法。所述方法包含：将所述反射光罩放置于室中；将氢自由基提供到所述室；及将所述反射光罩暴露于所述氢自由基。还提供一种制造半导体结构的方法及一种形成半导体结构的系统。 | ||
| 搜索关键词： | 清洁 方法 形成 半导体 结构 及其 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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